IMBF170R1K0M1英飞凌IGBT Infineon 深圳原厂原装现货 当天可发

代理英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。

此外，CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET可以直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。

英飞凌CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。

特性：

革命性的半导体材料——碳化硅

优化用于反激式拓扑结构

12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器

非常低的切换损失

基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

完全可控制的dV/dt，用于EMI优化

降低系统复杂性

直接从反激式控制器驱动

提高效率和降低冷却工作量

实现更高频率

应用：

能量生成

太阳能电池组列逆变器和太阳能优化器

基础设施–充电

充电器

工业电源

工业UPS

工业SMPS

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