IMBF170R1K0M1英飞凌IGBT Infineon 深圳原厂原装现货 当天可发
代理英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料,优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压,兼容大多数反激式控制器。
此外,CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET可以直接由反激式控制器驱动,通过减少冷却工作量来提高效率。
英飞凌CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
特性:
革命性的半导体材料——碳化硅
优化用于反激式拓扑结构
12V/0V栅极-源极电压,兼容大多数反激式控制器
非常低的切换损失
基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V
完全可控制的dV/dt,用于EMI优化
降低系统复杂性
直接从反激式控制器驱动
提高效率和降低冷却工作量
实现更高频率
应用:
能量生成
太阳能电池组列逆变器和太阳能优化器
基础设施–充电
充电器
工业电源
工业UPS
工业SMPS
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